各科研单元： 

　　国家自然科学基金委员会近日发布了《关于发布后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划2020年度项目指南的通告》。该计划面向芯片自主发展的国家重大战略需求，以芯片的基础问题为核心，旨在发展后摩尔时代新器件和计算架构，突破芯片算力瓶颈，促进我国芯片研究水平的提升，支撑我国在芯片领域的发展与创新。资助计划如下：

一、2020年度重点资助研究方向

　　本重大研究计划2020年度重点资助以下研究方向：

　　（一）培育项目

　　1.新材料与低功耗器件。2.新材料与高性能器件。3.生物启发的新原理器件。4.存内计算新架构跨层次设计方法。

（二）重点支持项目　

1.超低功耗新原理信息器件。2.CMOS异质集成低功耗高性能器件。3.高精度高能效神经形态新原理器件与网络。4.高能效存内计算芯片。

　二、2020年度资助计划

2020年度拟资助培育项目10项左右，直接费用的平均资助强度约为80万元/项，资助期限为3年，培育项目申请书中研究期限应填写“2021年1月1日—2023年12月31日”；

拟资助重点支持项目4项左右，直接费用的平均资助强度约为300万元/项，资助期限为4年，重点支持项目申请书中研究期限应填写“2021年1月1日—2024年12月31日”。

　　三、申请要求及注意事项

1.       本重大研究计划项目申请采取无纸化申请。项目申请书采用在线方式撰写。

2.       本重大研究计划项目申请需符合国家自然科学基金限项规定。

3.       申请书中的资助类别选择“重大研究计划”，亚类说明选择“培育项目”或“重点支持项目”，附注说明选择“后摩尔时代新器件基础研究”，根据申请的具体研究内容选择相应的申请代码。培育项目和重点支持项目的合作研究单位不得超过2个。

4.       申请人应当按照重大研究计划申请书的撰写提纲撰写申请书，在“立项依据与研究内容”部分，需要首先说明本次申请符合指南中哪一个重点资助的研究方向。在论述部分，应明确提出假说，论述其科学意义和依据，以及对解决本重大研究计划核心科学问题、实现本重大研究计划科学目标的贡献。如果申请人已经承担与本重大研究计划相关的其他科技计划项目，应当在申请书正文的“研究基础与工作条件”部分论述申请项目与其他相关项目的区别与联系，应避免同一研究内容在不同资助机构申请的情况。

       具体通告内容请见基金委网站链接：http://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info77918.htm

       请有意申报的老师务必于2020年6月10日前与科研规划处联系确认申报意向,科研规划处截止提交申请书电子版时间为：6月26日16:00。

       科研规划处联系人：冯冯（65591935, fengf@hfcas.ac.cn）

                                                                                              科研规划处 

                                                                                           2020年5月28日