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日本大阪大学Satoshi Hamaguchi教授来等离子体所交流访问
文章来源: 程军莉 发布时间: 2017-09-05

  8月28日—8月31日,日本大阪大学Satoshi Hamaguchi教授应等离子体所十一室邀请来所进行交流访问。

  28日上午,在等离子体所六楼会议室,Satoshi Hamaguchi教授作了题为Atomic-scale analyses of plasma-surface interactions for modern semiconductor processes的学术报告。在报告中,Hamaguchi教授介绍了等离子体中的活性成份在刻蚀方面的作用。在理论上,通过分子动力学模拟分析了Ar+、CF1+、CF2+、CF3+等成份在SiO2刻蚀过程中的机理,探索了提高SiN/SiO2或SiN/Si高选择性刻蚀的可行方案及机理。在实验上,通过使用质量选择离子束系统分析了CF+、CH2F+离子束剂量、离子能量对Si3N4刻蚀率的影响,并探索了等离子体中氢成份在选择性刻蚀中的作用。

  会场座无虚席,大家认真聆听仔细记录,报告尾声师生们踊跃主动地与Satoshi Hamaguchi教授进行了热烈交流和探讨。对于大家提出的各种问题,Satoshi Hamaguchi教授均给予了耐心细致的解答。此次报告会为师生们提供了学习和交流的平台,对拓宽研究视野,提升科研活力,深化相互间了解与合作,起到了积极的促进作用。

  Satoshi Hamaguchi教授在纽约大学数学科学Courant研究所获得数学博士学位,在东京大学获得物理学博士学位,目前是大阪大学原子与分子科技中心教授、美国真空学会和美国物理学会会员。

   

   

  Satoshi Hamaguchi教授来等离子体所交流访问

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