杨洪新在报告中主要介绍了界面处新颖的自旋电子学理论研究。界面处对称性破缺往往伴随着自旋轨道耦合、自旋电子学等方面新的物理现象，并且对于未来的自旋电子学器件的研发具有重要意义。杨洪新首先介绍了石墨烯中的磁近邻效应，又分别介绍了铁磁/氧化物界面和铁磁/石墨烯界面诱导的垂直磁各向异性并分析了其内在物理机制，最后重点介绍了最近在3d/5d金属和石墨烯/铁磁界面处的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用。