12月17日至18日，中国科学院前沿科学局与强磁场科学中心联合主办的新型拓扑磁性材料学术研讨会在合肥研究院举行。来自美国、德国、俄罗斯和日本等国家以及中国香港、清华大学、南京大学、中山大学、中科院物理研究所以及中国科学技术大学等40多位师生参加了研讨。
磁斯格明子具有尺寸小、高稳定性和易操控等特点，在构建未来高密度、高速度、低能耗自旋电子学器件方面具有巨大的实用前景。利用斯格明子作为基本的逻辑或者存储单元构建自旋电子学器件成为当前自旋电子学领域研究的前沿和热点之一。
鉴于磁斯格明子表现出来的独特特性与巨大的应用前景，日本、法国、美国、德国等都在加大投入进行相关物性以及器件的研究，并取得了一系列有影响的结果。相对来说，国内涉足这一领域起步较晚，但发展趋势良好。中国科学院强磁场科学中心、物理研究所、沈阳金属所、南京大学等院校和科研机构在低维材料中斯格明子的形成与稳定性、动力学和人工斯格明子等研究方面都取得了一系列的成绩。
与会人员认为，以磁斯格明子等新型拓扑磁结构为代表的原型器件的问世还有许多关键的问题有待理论论证与实验展示，目前对于和器件密切相关的新型磁性材料纳米结构单元的物性了解也还不充分，具有更高精度、更快响应速度的新型磁结构的探测关键技术问题还有待突破等。会议围绕拓扑磁性斯格明子的基本原理、拓扑特性、以及基于磁性斯格明子材料器件的设计等前沿问题开展了广泛的交流和讨论。
中科院前沿局局长高鸿钧、副局长黄敏以及前沿局数理化处、技术科学处等领导出席会议。会议还邀请了沈保根院士、张裕恒院士、杜江峰院士和成昭华研究员作为领域专家出席并对拓扑磁学的现状与未来发展进行指导。会上，强磁场中心杜海峰、物理研究所王文洪、中国科学技术大学黄濮和沈阳金属研究所张志东研究员分别汇报了他们在该领域的科研进展。
