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中国科学院物理所翁红明、钱天研究员做客强磁场科学论坛

发布时间:2026-04-24

作者:黄肖敏 来源:强磁场中心

421日,中国科学院物理所翁红明研究员、钱天研究员做客强磁场科学论坛。报告会由强磁场中心主任杜海峰主持,来自科学岛多个研究所的师生参加活动。

翁红明研究员以“层状莫特绝缘体 NbCl为题,聚焦强关联电子体系,指出层状化合物NbCl是理想的单带 Hubbard-Mott 绝缘体。报告首先介绍了相关研究背景,阐述了单带模型材料稀缺的难题;随后详细介绍了 NbCl的物态特性:其高温 α 相为二维 Mott 绝缘体,低温 β 相则因层间二聚化呈现典型的非磁性绝缘态,这一相变由熵变与内能共同驱动。最后,翁红明研究员提出,施加压力可抑制该相变并稳定高温 α 相,为实现量子自旋液体提供了调控方案。

钱天研究员作题为“Evidence for an excitonic insulating state with gapped edge states in TaPdTe的报告。激子绝缘体作为理论提出六十余年的新奇量子态,在实验中一直缺乏确凿证据。钱天研究员介绍了其研究团队结合角分辨光电子能谱(ARPES)、扫描隧道显微镜(STM)、透射电子显微镜(TEM)测量及理论计算,在TaPdTe中首次获得了激子绝缘体态存在的有力实验证据。随后他详述实验发现的一维边缘态与单电子理论预期的差异,进一步证实激子相互作用可重构能带拓扑,凸显多体相互作用对拓扑物态的关键影响。

报告结束后,两位研究员与现场师生深入交流。杜海峰研究员为两位学者颁发强磁场科学论坛纪念证书。

翁红明,南京大学物理学系博士,现任中国科学院物理研究所研究员,兼任中国科学院凝聚态物质科学数据中心主任,主要从事计算凝聚态物理研究,并致力于建设凝聚态物质科学数据体系、数智驱动的物质研究新范式等。

钱天,中国科学技术大学博士,中国科学院物理研究所研究员,长期从事拓扑材料与强关联体系电子结构研究。

报告现场

颁发证书

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